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      中國新能源汽車及充電樁市場對IGBT的需求分析【附本土IGBT企業梳理】

      簡析 ? 2019-08-20 07:01 ? 次閱讀
      IGBT具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關等優良性能,被業界譽為功率變流裝置的“CPU”,小到電磁爐,大到新能源汽車、軌道交通、智能電網等戰略性產業,IGBT都扮演著及其重要的角色。本文將主要介紹中國新能源汽車及充電樁市場對IGBT的需求,并對本土IGBT企業進行梳理。

      中國新能源汽車及充電樁市場發展情況

      2019上半年,中國新能源汽車市場保持高速增長,其中新能源汽車產量為61.4萬輛,同比增長48.5%;截至6月底,新能源汽車保有量344萬輛。可見,在汽車市場總體低位運行的狀態下,中國新能源汽車市場依然保持著良好的發展態勢。
      圖表:2014年-2019上半年中國新能源汽車產量及保有量走勢圖
      數據來源:電子發燒友整理
      截至2019年6月底,中國充電樁保有量已超100萬臺,車樁比達到3.5:1;從充電樁類型來看,交流、直流公共樁占比穩定在6:4左右。隨著新能源汽車保有量的增長、使用頻率的增加和使用范圍的延伸,充電需求將持續提升,這也必將帶動包括充電樁在內的充電基礎設施的快速推廣。
      圖表:2014年-2019上半年中國充電樁基礎設施保有量(萬臺)
      數據來源:電子發燒友整理

      中國新能源汽車及充電樁領域IGBT的市場規模

      在新能源汽車制造中,IGBT約占整車成本的7%-10%,對整車的能源效率有重要影響;同時,IGBT也是新能源充電樁的核心部件之一,約占到充電樁成本的20%。根據<電子發燒友>測算,2018年中國新能源汽車及充電樁領域IGBT的市場規模約為60億元,其中新能源汽車市場約占65%。
      圖表:2014-2018年新能源汽車及充電樁領域IGBT市場規模(億元)
      數據來源:電子發燒友整理

      新能源汽車及充電樁領域IGBT市場前景

      近年來,我國新能源汽車保有量持續上升,但充電樁的建設增速卻相對較低,距離2020年達到車樁比接近1的目標較遠。在中央和地方政府的大力支持下,新能源汽車及充電樁市場將保持高速發展,IGBT作為其核心器件也將迎來快速發展期,預計到2020年,該細分領域IGBT市場規模將為130億元

      本土IGBT企業梳理

      近幾年,本土IGBT技術發展較快,以比亞迪為例,其在2005年進入IGBT產業,并在2009年打破國際廠商壟斷,2018年底,比亞迪發布了在車規級領域具有標桿性意義的IGBT 4.0技術,再一次展示出其在電動車領域的領先地位,進一步打破了國際大廠形成的技術壁壘。
      中國作為全球最大的IGBT需求市場,主要市場份額被歐美日企業所占據,但經過多年的發展,目前,已建立起來完整的IGBT產業鏈,并發展起來了一批優秀的IGBT企業。如下表所示,<電子發燒友>整理了本土IGBT企業的簡況,以供參考。
      為了全面客觀的對中國模擬器件行業進行梳理和分析,以及了解企業對模擬IC國產化的看法,<電子發燒友>特開展此次調研。我們承諾,對您填寫的信息將絕對保密,所有信息僅供調研參考。【點擊下方二維碼 誠邀您參與調研】
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      NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

      65L4BT是一款PFCSPM?2模塊,為消費,醫療和工業應用提供全功能,高性能的交錯式PFC(功率因數校正)輸入功率級。這些模塊集成了內置IGBT的優化柵極驅動,可最大限度地降低EMI和損耗,同時還提供多種模塊內保護功能,包括欠壓鎖定,過流關斷,熱監控和故障報告。這些模塊還具有全波整流器和高性能輸出SiC二極管,可節省更多空間和安裝便利性。 特性 650 V - 50 A 2階段具有整體柵極驅動器和保護的交錯式PFC 使用Al2O3 DBC襯底的極低熱阻 全波橋式整流器和高性能輸出SiC升壓二極管 用于溫度監控的內置NTC熱敏電阻 隔離評級:2500 Vrms / min 應用 終端產品 2相交錯式PFC轉換器 商用空調 工業電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 04:02 ? 12次 閱讀
      NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

      NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

      60L3TT是一個完全集成的PFC和逆變器功率級,包括一個高壓驅動器,六個電機驅動IGBT,一個PFC SJMOSFET,一個用于整流器的PFC SiC-SBD和一個熱敏電阻,適用于驅動永磁同步( PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為小腿提供獨立的發射極連接,以便在選擇控制算法時獲得最大的靈活性。 特性 優勢 在一個封裝中采用PFC和逆變器級的簡單散熱設計。 保存PCB面積并簡化裝配流程 交叉傳導保護 避免手臂短路輸入信號不足 集成自舉二極管和電阻器 保存PCB面積 應用 終端產品 電機驅動模塊 電機控制系統 工業/通用控制系統HVAC 工業風扇電機 泵 洗衣機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 04:02 ? 4次 閱讀
      NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

      NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

      60L3TT是一個完全集成的逆變器功率級,由高壓驅動器,六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為低支路提供獨立的發射極連接,在控制算法選擇方面具有最大的靈活性。功率級具有全面的保護功能,包括跨導保護,外部關斷和欠壓鎖定功能。連接到過流保護電路的內部比較器和參考電壓允許設計人員設置過流保護電平。 特性 緊湊型44mm x 20.9mm單列直插式封裝 內置欠壓保護 交叉傳導保護 集成自舉二極管和電阻器 應用 終端產品 工業驅動器 泵 粉絲 Automationas 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 03:02 ? 6次 閱讀
      NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

      NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

      4是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器使用2個具有交叉傳導保護的獨立輸入。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 最多輸入引腳上的Vcc擺動 兩個通道之間的匹配傳播延遲 帶輸入的階段輸出 具有100ns內部固定死區時間的交叉傳導保護 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 01:02 ? 22次 閱讀
      NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

      NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

      1是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高側電源開關。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍從10 V到20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺幅 兩個頻道之間的匹配傳播延遲 內部固定Dea的一個輸入d時間(650 ns) 在兩個頻道的Vcc LockOut(UVLO)下 引腳與引腳兼容行業標準 應用 半橋電源轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 01:02 ? 20次 閱讀
      NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

      MC33153 單IGBT驅動器

      3專門設計用作高功率應用的IGBT驅動器,包括交流感應電機控制,無刷直流電機控制和不間斷電源。雖然設計用于驅動分立和模塊IGBT,但該器件為驅動功率MOSFET和雙極晶體管提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括選擇去飽和或過流檢測和欠壓檢測。這些器件采用雙列直插和表面貼裝封裝,包括以下特性: 特性 高電流輸出級:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常規和感測IGBT的保護電路 可編程故障消隱時間 防止過電流和短路 針對IGBT優化的欠壓鎖定 負柵極驅動能力 成本有效地驅動功率MOSFET和雙極晶體管 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 01:02 ? 54次 閱讀
      MC33153 單IGBT驅動器

      NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

      6是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動程序使用2個獨立輸入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高壓范圍:最高600 V dV / dt抗擾度±50 V / nsec 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺動 匹配傳播兩個渠道之間的延遲 輸入階段的輸出 適應所有拓撲的獨立邏輯輸入(版本A) 交叉傳導保護機智h 100 ns內部固定死區時間(版本B) 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 任何互補驅動轉換器(非對稱半橋,有源鉗位)(僅限A型)。 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 00:02 ? 38次 閱讀
      NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

      FL73282 半橋柵極驅動器

      2是一款單片半橋柵極驅動器IC,可驅動工作電壓高達+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高dV / dt噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路,可使高側柵極驅動器的工作電壓在V BS = 15 V時達到V S = - 9.8 V(典型值)。當V CC 或V BS 低于指定閾值電壓時,兩個通道UVLO電路可防止發生故障。輸出驅動器的源電流/灌電流典型值分別為350 mA / 650 mA,適用于各種半橋和全橋逆變器。 特性 浮動通道可實現高達+900 V的自舉運行 兩個通道的源/灌電流驅動能力典型值為350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪聲消除電路 容許擴展負V S 擺幅至-9.8 V,以實現V CC = V BS = 15 V時的信號傳輸 10 V至20 V的V CC 和V BS 供電范圍 雙通道的欠壓鎖定功能 匹配傳播延遲低于50 ns 內置170 ns死區時間 輸出與輸入信號同相 應用 照明 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 00:02 ? 32次 閱讀
      FL73282 半橋柵極驅動器

      NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

      3系列是一組高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于中高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器和其他汽車等汽車應用電源。通過消除許多外部組件,這些器件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精確的UVLO,DESAT保護和漏極開路故障輸出。這些驅動器還具有精確的5.0 V輸出(適用于所有版本)和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出(僅適用于NCV5703C),便于系統設計。這些驅動器設計用于容納寬電壓范圍的單極性偏置電源(以及NCV5703B的雙極性偏置電源)。所有版本均采用8引腳SOIC封裝,符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低開關損耗并縮短切換時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 活動密勒鉗(僅限NCV5703A) 防止假門開啟 應用 終端產品 DC-交流變頻器 電池充電器 汽車PTC加熱器 驅動程序 電機控制 電動汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-30 22:02 ? 38次 閱讀
      NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

      NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

      2是一款高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器,動力總成逆變器和其他汽車電源等汽車應用。該器件通過消除許多外部元件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括有源米勒鉗位,精確的UVLO,EN輸入,DESAT保護和漏極開路故障輸出。該驅動器還具有精確的5.0 V輸出和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出,便于系統設計。該驅動器設計用于適應寬電壓范圍的偏置電源,包括單極性和雙極性電壓。它采用16引腳SOIC封裝。符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 降低開關損耗和縮短開關時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 活動密勒鉗 防止偽門開啟 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 應用 終端產品 DC-AC逆變器 電池充電器 汽車PTC加熱器 板載充電器 xEV充電器 汽車動力總成逆變器 牽引逆變器 電動汽車 EV充電器 牽引 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-30 22:02 ? 34次 閱讀
      NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

      晶閘管和IGBT有什么區別?

      SCR的開關時間較長,所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開關頻率較高。IGBT模塊....
      發表于 07-30 10:09 ? 652次 閱讀
      晶閘管和IGBT有什么區別?

      電力電子技術的經典教程電子書免費下載

      我們現在要開始學習一個新的學科——電力電子技術( Power Electronics Technol....
      發表于 07-29 08:00 ? 211次 閱讀
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      變頻器在高溫下工作需要注意什么及大功率高壓變頻器的散熱分析

      變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現代電力電子技術和微....
      的頭像 電力講壇 發表于 07-28 10:41 ? 780次 閱讀
      變頻器在高溫下工作需要注意什么及大功率高壓變頻器的散熱分析

      IGBT過流保護技術示例

      工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。
      的頭像 電力電子技術與新能源 發表于 07-26 08:41 ? 901次 閱讀
      IGBT過流保護技術示例

      IGBT與MOSFET分布式發電中電力電子逆變器拓撲結構的比較研究資料說明

      在目前的能源行業情景中,分布式電網在智能電網中的作用成為一個重要的方面。電力電子轉換器或交流旋轉電機....
      發表于 07-24 08:00 ? 176次 閱讀
      IGBT與MOSFET分布式發電中電力電子逆變器拓撲結構的比較研究資料說明

      半橋逆變電路的工原理

      驅動信號仍然采用處理脈寬調制器輸出信號的形式。使得兩路驅動信號的相位錯開(有死區),以防止兩個開關管....
      發表于 07-23 10:01 ? 687次 閱讀
      半橋逆變電路的工原理

      新能源汽車領域的國產IGBT廠商有哪些?

      近年來,新能源汽車逐漸走進人們的生活,據中國汽車工業協會預測,2019年我國新能源汽車銷量將達到16....
      的頭像 Carol Li 發表于 07-19 17:14 ? 3158次 閱讀
      新能源汽車領域的國產IGBT廠商有哪些?

      注冊資金2.5億美元 總投資7.5億美元 IGBT簽約落戶嘉善縣開發區

      7月16日,IGBT功率半導體項目簽約落戶嘉善縣開發區。嘉善縣領導徐鳴陽、鄭明、何全根、陸春浩參加簽....
      的頭像 半導體前沿 發表于 07-19 10:47 ? 1179次 閱讀
      注冊資金2.5億美元 總投資7.5億美元 IGBT簽約落戶嘉善縣開發區

      浙江省嘉善縣捷報IGBT功率半導體正式落戶嘉善經濟技術開發區

      7月16日,浙江省嘉善縣數字經濟發展再傳捷報,IGBT功率半導體項目正式簽約落戶嘉善經濟技術開發區。
      的頭像 芯論 發表于 07-18 16:11 ? 799次 閱讀
      浙江省嘉善縣捷報IGBT功率半導體正式落戶嘉善經濟技術開發區

      IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區

      7月16日,浙江省嘉善縣數字經濟發展再傳捷報,IGBT功率半導體項目正式簽約落戶嘉善經濟技術開發區。
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 07-18 10:04 ? 914次 閱讀
      IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區

      IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區 總投資達7.5億美元

      7月16日,浙江省嘉善縣數字經濟發展再傳捷報,IGBT功率半導體項目正式簽約落戶嘉善經濟技術開發區。
      的頭像 半導體動態 發表于 07-17 16:27 ? 964次 閱讀
      IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區 總投資達7.5億美元

      逆變器核心開關器件IGBT的應用特點、可靠性

      本文研究了逆變器核心開關器件IGBT主要參數的選擇, 分析三相逆變電路拓撲及功率器件IGBT的應用特....
      的頭像 暢學電子 發表于 07-17 08:45 ? 658次 閱讀
      逆變器核心開關器件IGBT的應用特點、可靠性

      太厲害了,終于有人能把IGBT講得明明白白

      一文看懂IGBT
      的頭像 電子發燒友網 發表于 07-16 10:11 ? 3661次 閱讀
      太厲害了,終于有人能把IGBT講得明明白白

      三種IGBT驅動電路和保護方法的詳細資料說明

      本文著重介紹三個IGBT驅動電路。驅動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大,以驅動IGBT,保....
      發表于 07-16 08:00 ? 228次 閱讀
      三種IGBT驅動電路和保護方法的詳細資料說明

      IGBT模塊驅動及保護技術的詳細資料說明

      IGBT 是 MOSFET 和雙極晶體管的復合器件。它既有 MOSFET 易驅動的特點,又具有功率晶....
      發表于 07-16 08:00 ? 202次 閱讀
      IGBT模塊驅動及保護技術的詳細資料說明

      焊機IGBT炸管的分析和維修注意事項資料免費下載

      有的焊機不用分流器,而是通過互感器來檢測主變初級的電流,它的優勢是電流更穩,哪怕二次整流管短路也不至....
      發表于 07-10 08:00 ? 271次 閱讀
      焊機IGBT炸管的分析和維修注意事項資料免費下載

      電力開關中不可缺少的死區時間發生電路的詳細說明

      在驅動電路等電力開關電路中,采用半橋式及全橋式電路時,必須注意圖1.12所示的實現推挽動作的設備的斷....
      發表于 07-08 08:00 ? 139次 閱讀
      電力開關中不可缺少的死區時間發生電路的詳細說明

      碳化硅(SiC)功率器件發展現狀

      近年來,SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能,這對電力電子行業的發展意義重大。據Yole預....
      的頭像 Carol Li 發表于 07-05 11:56 ? 4281次 閱讀
      碳化硅(SiC)功率器件發展現狀

      英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產品技術助力多領域實現節能增效

      英飛凌以“我們賦能世界”為主題,在展會上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術和功能更集成的一系列新產....
      發表于 07-03 18:47 ? 217次 閱讀
      英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產品技術助力多領域實現節能增效

      常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅動技術解析

      MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構,直流電不能通....
      發表于 07-03 16:26 ? 309次 閱讀
      常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅動技術解析

      IGBT驅動模塊的設計資料免費下載

      本文檔的主要內容詳細介紹的是IGBT驅動模塊的設計資料免費下載。如圖 1 所示,驅動模塊由三個部分組....
      發表于 07-03 08:00 ? 179次 閱讀
      IGBT驅動模塊的設計資料免費下載

      常用的功率半導體器件匯總

      電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和....
      發表于 07-02 16:52 ? 517次 閱讀
      常用的功率半導體器件匯總

      IGBT基本結構和原理_IGBT設計關鍵因素

      因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設計的相關要點,當然只是從我們比....
      的頭像 電力電子技術與新能源 發表于 06-29 09:44 ? 1142次 閱讀
      IGBT基本結構和原理_IGBT設計關鍵因素

      IGBT的雙脈沖測試介紹

      IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid,歡迎加入技術交流Q....
      的頭像 電力電子技術與新能源 發表于 06-29 09:40 ? 2453次 閱讀
      IGBT的雙脈沖測試介紹

      功率半導體器件基礎PDF電子書免費下載

      本書系統介紹了電力電子領域廣泛應用的各類功率半導體器件。由淺入深地介紹了器件的基本結構、物 理機理、....
      發表于 06-27 08:00 ? 519次 閱讀
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      IGBT的定義及特性

      IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度利用雙極晶體管的....
      的頭像 模擬對話 發表于 06-25 18:27 ? 789次 閱讀
      IGBT的定義及特性

      IGBT功率模塊及裝置的熱設計詳細資料說明

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,....
      發表于 06-21 08:00 ? 274次 閱讀
      IGBT功率模塊及裝置的熱設計詳細資料說明

      IR2133系列高電壓和高速功率MOSFET IGBT驅動器的數據手冊免費下載

      IR2133IR2135/IR2233 IR2355(J&S)是高電壓、高速功率MOSFET和IGB....
      發表于 06-20 08:00 ? 262次 閱讀
      IR2133系列高電壓和高速功率MOSFET IGBT驅動器的數據手冊免費下載

      電動汽車成為增長動能 2021年IGBT產值預估將突破52億美元

      根據集邦咨詢旗下拓墣產業研究院報告指出,電動汽車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預估在2021年電....
      的頭像 章鷹 發表于 06-19 08:20 ? 4050次 閱讀
      電動汽車成為增長動能 2021年IGBT產值預估將突破52億美元

      2019年世界IGBT市場總值將達到48.4億美元 同比增長2.8%

      據報道:電動汽車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預計到2021年電動汽車將達到年產800萬輛,為2....
      的頭像 集成電路園地 發表于 06-14 16:31 ? 1247次 閱讀
      2019年世界IGBT市場總值將達到48.4億美元 同比增長2.8%

      2019年世界IGBT市場總值將達到48.4億美元

      電動汽車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預計到2021年電動汽車將達到年產800萬輛,為2018年....
      發表于 06-14 16:24 ? 889次 閱讀
      2019年世界IGBT市場總值將達到48.4億美元

      受益于電動汽車發展,IGBT產值2021年突破52億美元

      電動汽車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預計在2021年電動汽車將突破800萬輛,為2018年的兩....
      的頭像 Blue5 發表于 06-13 11:11 ? 1035次 閱讀
      受益于電動汽車發展,IGBT產值2021年突破52億美元

      電子技術行業的介紹和發展及形勢說明

      電子技術是根據電子學的原理,運用電子元器件設計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學,包括信息....
      發表于 06-13 08:00 ? 159次 閱讀
      電子技術行業的介紹和發展及形勢說明

      IGBT與MOSFET到底有什么區別

      mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管....
      發表于 06-13 08:00 ? 249次 閱讀
      IGBT與MOSFET到底有什么區別

      總投資200億元!名芯半導體項目落戶贛州經開區

      名芯半導體項目總投資200億元,將分兩期建設
      的頭像 芯論 發表于 06-12 16:09 ? 1357次 閱讀
      總投資200億元!名芯半導體項目落戶贛州經開區

      區分電磁加熱器全橋與半橋控制板?

      把半橋電路的兩個橋臂諧振電容改成兩個IGBT,線圈串聯一個揩振電容就構成全橋電路,IGBT1和IGB....
      發表于 06-10 17:32 ? 347次 閱讀
      區分電磁加熱器全橋與半橋控制板?

      滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

      全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101....
      的頭像 皇華電子元器件IC供應商 發表于 05-29 15:15 ? 1104次 閱讀
      滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
      山东11选5